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DRDNB16W-7 |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | Diodes Inc | 36168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: |
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DRDNB16W-7参数 产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明:ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载:PDF文档 晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):1k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):56 @ 50mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大):500nA 频率 - 转换:200MHz 功率 - 最大:200mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 芯片电阻 - 表面9C06031A1962FKHFT 固定式IHLP5050CEER2R2M07 圆形AFD51-12-8PX-6116 晶体405C35D20M00000 矩形- 接头,公引D2550-6V0C-AR-WG PMIC - 稳压MAX1974EUB 连接器1712710000 振荡器632N3I027M00000 压接器,施用器,压0011184597 陶瓷电容器12065C223JAT2A |